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半导体被称为国家的“产业大米”，是所有电子产品生产都不可缺少的原材料之一，不论是民用的电子产品还是高精尖的军用武器，其性能完全依赖于半导体产品的质量。目前市场产业链为ic设计（芯片设计）、ic制造（前道工序的晶圆加工）和ic封测（后道工序封装和测试）。而晶圆作为半导体行业的最重要的一环，更是国家大力扶持的项目之一。接下来为您介绍晶圆制程中保护膜的应用。
一、研磨（back grinding）用保护膜
根据晶圆尺寸要求或散热要求，有时需将晶圆背面研磨减薄至可接受的厚度，因此研磨制程也可称为“背研”或“减薄”，而研磨过程中需保证碎屑和研磨液不对晶圆造成污染，因此研磨前需在晶圆正面即线路面贴附保护膜（bg tape）。
晶圆中锡球的高度越高，研磨时越容易分散以导致晶圆破损或产生波纹，因此需赋予保护膜较好的应力缓和性及延伸性。
晶圆用保护膜一般有普通蓝膜和uv固化减粘膜。uv膜的优势在于研磨后照射uv光使其粘性降低，可在低应力情况下进行剥离作业。高清洁性可保证研磨过程中微观粒子的转移非常少，研磨过程后不需要额外的清洗过程。
二、切割（dicing）用保护膜
晶圆切割（即划片）将晶圆上的每一颗晶粒（die）加以切割分离，先要将晶圆（wafer）的背面贴上一层保护膜（wafer mount），之后再将其送至晶圆切割机加以切割。切割完后，一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上，同时由于框架的支撑可避免晶粒因胶带皱褶而产生碰撞。